Обнадеживающе, как по мне
В Калифорнии создан прототип микросхемы памяти с плотностью записи около 100 гигабит на квадратный сантиметр – примерно в 40 раз выше, чем у производимых ныне аналогов. Носителями информации в ней служат молекулы органического соединения [2]-ротаксана, способные переключаться между двумя стабильными состояниями. Микросхема более чем на десятилетие опережает предсказания закона Мура[1], согласно которому такая степень миниатюризации запоминающих устройств может быть достигнута только к 2020 году.
Хотя там же, ниже по тексту:
Правда, это всё-таки только прототип. Подвести к нанопроводам внешние контакты оказалось сложнее, чем создать сами провода (для чего была использована оригинальная технология гравирования), поэтому пока реально функционирует только небольшой участок микросхемы – 10×18 бит. Из-за ограничений нанотехнологии сработала всего половина протестированных битов, и только с половины из них удалось считать записанную информацию. Наконец, молекулы [2]-ротаксана пока выдерживают лишь несколько циклов записи, после чего “выходят из строя”.
Будем ждать. С такими темпами к 2010 году может будут не только рабочий прототипы, но уже и промышленные варианты.
В эту же тему:
- Молекулярный микропроцессор из ротаксана (Maggie Fox, ZDNN Reuters[2] 16 июля, 1999)
- Rapid progress reported in emerging field of molecular electronics (Stuart Wolpert, University of California – Los Angeles, December 16, 2004)
- Механическая память на основе НЭМС-систем (Свидиненко Юрий (Svidinenko) 2004.12.18)
Posted in Разное | no comments | atom
Trackbacks
Use the following link to trackback from your own site:
http://blog.org.ua/trackbacks?article_id=%D0%9E%D0%B1%D0%BD%D0%B0%D0%B4%D0%B5%D0%B6%D0%B8%D0%B2%D0%B0%D1%8E%D1%89%D0%B5-%D0%BA%D0%B0%D0%BA-%D0%BF%D0%BE-%D0%BC%D0%BD%D0%B5&day=03&month=02&year=2007